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北陆先端科学技术大学JAIST-铃木研究室硕博招生 2024年4月或者10月入学
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北陆先端科学技术大学JAIST-铃木研究室硕博招生 2024年4月或者10月入学 【北陆先端科学技术大学介绍】 北陆先端科学技术大学（JAIST）是在日本建立的第一所从事研究生教育的国立大学。实验设施齐全，设备先进。 研究室之间交流便捷，可以从不同领域的老师获得指导。 1. 性价比优异，与大城市相比，这里不仅学费不高，生活费用也相对较低（因为在乡下） 2. 绝大多数的学生都能在标准时间内完成学业并被授予学位（硕士项目2 年， 博士项目3年） 3. 有许多毕业生在中国的大学从事相关工作 4. 学校里有非常多的中国留学生，生活方面的问题可以随时和老师商量 5. 即使你不会日语，只用英语进行交流也没有问题 【铃木研究室介绍】 1. 现状 教授铃木寿一，为人和善，关心学生的生活状况。 在研究方面要求严格，热心指导学生，在铃木研学习一定能有所成长。 铃木研究室目前在籍的学生共有三名，研究生2人，博士1人。 3人皆为留学生，中国2人，韩国1人。研究氛围良好，成员关系融洽。 2. 研究方向 本实验室以电子器件的功能多样化为目标，致力于禁带宽禁带化合物（氮化镓GaN为中心）半导体器件技术的相关研究。 如今数字电子领域的主角——Si器件，通过不断地精密化来提高性能。但是，沿着“More Moore”这条轴的进步，其局限性也逐渐被意识到。 为了今后的电子发展，基于“More than Moore”的观点，实现功能多样化势在必行。 而化合物半导体器件将在这方面扮演着重要的角色。 什么是化合物半导体? 以III-V族为中心的化合物半导体是多种多样的材料体系，迄今为止已经被应用于各种器件，实现了Si基器件无法实现的功能。 由于具有高电子迁移率和高电子饱和速度，化合物半导体适合于高速电子器件的应用。 宽禁带半导体氮化镓GaN就是其中一例。GaN的电子有效质量大，这一点似乎不利于器件的高速化，但由于其大的光学声子能量和特有的带结构，虽然电子迁移率低，但具有很高的电子饱和速度。因此，GaN有望应用于兼具高速性能和功率性能的设备。 将具有上述的化合物半导体应用于各种各样的设备中，对于电子产品的功能多样化是极为重要的。通过融合集成化合物半导体和异种材料的技术，可以期待更高级的功能多样化。本研究室基于这样的观点，致力于化合物半导体电子器件的研究。以下一代超高速器件和节能器件为目标，在研究纳米/宽禁带化合物半导体器件技术及其异种材料融合技术的同时，深入理解器件的工作原理及其测量技术。 【申请及入学流程】 1. 将个人简历，语言成绩，本科成绩单，研究兴趣方向（请结合本课题组），发送至tosikazu@jaist.ac.jp·（请使用英语或日语） 2. 由教授初步筛选后得到答复，通过者将安排教授面试（在线），面试由5-10分钟自我演讲，加30-40分钟提问（学术以及非学术）组成，请务必确保英语口语或者日语口语能力。 3. 通过教授面试的学生即为拟接受的学生，将按流程准备参加入学考试，入学考试形式为面试。 评论区留言我不一定能够随时回应，有意向的申请者可以邮件联系我dyuchen94@jaist.ac.jp。 |
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