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【求助】Materials-studio可以计算半导体异质结和量子阱能带结构吗？
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Materials-studio可以计算半导体异质结和量子阱能带结构吗？ 本人对Materials-studio知道的不多，不知道Materials-studio可否计算GaAs/GaInAs/GaAs应变量子阱结构量子化能级， 背景： GaAs上的GaInAs量子阱材料,其晶格常数恒大于衬底GaAs的晶格常数,因此晶格失配产生的应变始终为压应变,这种压应变引起的价带劈裂。k.p微扰法是将k=0处的能量和波函数作为零级近似，将哈密顿量中与k有关的项作为微扰项，用一级和二级微扰论的方法得到k/=0时的能带结构。 以上k.p微扰法可以在Materials-studio中实现吗？哪个模块？大致过程？ 得到有用回复再追加金币哈  |
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zjciomp7973(金币+2,VIP+0):多谢啦 其实我主要关心的是价带顶的子能带信息。 9-30 13:24
wuchenwf(金币+3,VIP+0):谢谢 10-1 22:44
zjciomp7973(金币+2,VIP+0):多谢啦 其实我主要关心的是价带顶的子能带信息。 9-30 13:24
wuchenwf(金币+3,VIP+0):谢谢 10-1 22:44
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LZ果然对MS知道的不多，MS中的量子模块没有用K.P方法作为基础的。 如果非要算量子井结构，MS倒是可以计算周期性层状结构，比如层状结构沿Z方向。但是，这个时候在X和Y方向仍然是周期性的，其实相当于算了一个周期的3D材料。没有把量子超晶格的“准一维”特性表现出来。 我曾经试过把纳米碳管的输入文件改成某种界面（金属/半导体，半导体/半导体，此时纳米管的结构已被删除，只是为了建模方便（虽然未必可靠）才用纳米管的一维周期）的周期形式。可以算，但是这种结构恐怕跟实际的超晶格相差甚远。 |
2楼2009-09-30 12:04:56