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关于半导体材料DFT计算出的能带结构和高对称点的关系
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想问一点关于半导体材料DFT计算出的能带结构和高对称点的关系：我在计算某二维材料的能带结构时，发现结果里的导带低不在高对称点上（布里渊区取的K点路径为G-M-K-G,其中一个的导带底在M点附近，不在M上。另一个的价带顶也不在高对称点上，在G点跟前)，这种情况是正常的，还是我的计算错误？之前计算并没有这种问题。如果这是正常现象，希望老师解释一下为什么会这样？ |
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