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smallmon

新虫 (初入文坛)

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[求助] 紫外可见漫反射光谱UV-Vis——反射率与波长关系图拟合氮化钽TaN光学带隙

之前没接触过紫外可见漫反射测试，也是查找文献知道可以测带隙，样品是送出去测得到的数据。第一张图所示是通过测试数据和Kubelka-Munk公式：(F(R)hν)1/n =K/S=(1-R)2/2R= B(hν-Eg)拟合得到的TaN带隙。
第二张是文献中的图
但是在处理数据的时候意识到有几个问题：
1、查看了很多紫外测试反射率R%和波长关系图，以及按原理来说，当波长到达一个阈值的时候，反射率应该会从小变为100%，也就是光的能量不足以和材料在发生作用，但是我的测试结果在1000nm左右波长的时候，反射率是变大了，但是只有60%不到，且随着波长变大还有下降的趋势，这是为什么呢？
2、图中选择做切线计算带隙的位置是否正确，计算结果在1.12eV，而我查阅的文献Ta3N5的带隙在2.3eV左右，我的样品是在纯氮气环境下生长的，应该是绝缘体，为什么带隙还是这么小，是不是处理方法有问题。
3、样品是在带有热氧化层（SiO2）的硅衬底上利用磁控反应溅射在纯氮气的条件下生长的厚度在50nm左右的TaN薄膜，那衬底会不会对紫外的数据有影响呢？
希望有懂得大佬帮忙看看解答一下，救救孩子

0_30_50nm.JPG