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smallmon

新虫 (初入文坛)

[求助] 紫外可见漫反射光谱UV-Vis——反射率与波长关系图拟合氮化钽TaN光学带隙

之前没接触过紫外可见漫反射测试,也是查找文献知道可以测带隙,样品是送出去测得到的数据。第一张图所示是通过测试数据和Kubelka-Munk公式:(F(R)hν)1/n =K/S=(1-R)2/2R= B(hν-Eg)拟合得到的TaN带隙。
第二张是文献中的图
但是在处理数据的时候意识到有几个问题:
1、查看了很多紫外测试反射率R%和波长关系图,以及按原理来说,当波长到达一个阈值的时候,反射率应该会从小变为100%,也就是光的能量不足以和材料在发生作用,但是我的测试结果在1000nm左右波长的时候,反射率是变大了,但是只有60%不到,且随着波长变大还有下降的趋势,这是为什么呢?
2、图中选择做切线计算带隙的位置是否正确,计算结果在1.12eV,而我查阅的文献Ta3N5的带隙在2.3eV左右,我的样品是在纯氮气环境下生长的,应该是绝缘体,为什么带隙还是这么小,是不是处理方法有问题。
3、样品是在带有热氧化层(SiO2)的硅衬底上利用磁控反应溅射在纯氮气的条件下生长的厚度在50nm左右的TaN薄膜,那衬底会不会对紫外的数据有影响呢?
希望有懂得大佬帮忙看看解答一下,救救孩子

紫外可见漫反射光谱UV-Vis——反射率与波长关系图拟合氮化钽TaN光学带隙
0_30_50nm.JPG


紫外可见漫反射光谱UV-Vis——反射率与波长关系图拟合氮化钽TaN光学带隙-1
reference.JPG
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smallmon

新虫 (初入文坛)

刚刚看文献发现Si的带隙在1.12eV,这个切线的与x轴的截距是衬底Si的吗?
2楼2023-03-24 14:47:23
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