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为什么施主杂质能级的简并因子为2,而受主为4
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Yannis_L
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[交流]
为什么施主杂质能级的简并因子为2,而受主为4
根据Fermi-Dirac 统计分布函数,给出了电子或空穴占据施主和受主的几率,其中gD为施主杂质能级的基态简并度,gA为受主杂质能级的基态简并度,简称为简并因子。对Si,Ge,GaAs等,gD=2,gA=4。这个简并因子应该怎么理解呢?我看到有解释说因为受主有两个价带可以占据:“重”空穴价带和“轻”空穴价带,其中任何一个都可以填充受体。因此,4 的简并因子是由于自旋向上或自旋向下电子占据能级 E(受体)的可能性,以及存在两种能量空穴 E(受体)来源,一个来自“重”孔带和一个来自“轻”孔带。与受体相反,施主带正电并倾向于放弃一个电子。有没有大佬可以解释一下?非常感谢。
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