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vasp计算带电缺陷的形成能已有1人参与
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学习使用vasp计算缺陷的形成能，看了很多之前的帖子，目前还存在一些疑问， 1，原子空位缺陷的电荷该如何设置，可以直接使用参考文献中给的电荷状态吗 2，vasp计算带电缺陷的INCAR如何设置，只加一个NELECT就可以吗 3，形成能是在结构优化后从OUTCAR里读取吗 4，计算的缺陷形成能随费米能级的变化不应该是直线吗，文献中的折线图是怎么做出来的呢 5，形成能计算公式中最后的修正项可以不考虑吗  b6502c67e3da17888e7a57d613283a0.png  9b57d95895bf65c8f65a18f064b4d80.png |
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【答案】应助回帖
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zdd000(漫天飘雪代发): 金币+10, 谢谢应助 2022-12-08 08:30:27
zdd000(漫天飘雪代发): 金币+10, 谢谢应助 2022-12-08 08:30:27
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4楼2022-11-29 23:54:18
2楼2022-11-29 19:34:04
3楼2022-11-29 21:50:05
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