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半导体物理载流子运输MTR模型，多重陷阱和热释放模型
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使用Multiple Trapping & Release Model，计算单一深陷阱能级的有效电子迁移率。 原文：How to calculate effective electron mobility based on the MTR model for a single-level electron deep trap state？（Nc、Nt、Et and Ef are already known） |
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