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[交流]
单晶硅刻蚀表面粗糙度问题
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在制作微透镜中，使用ICP设备刻蚀单晶硅碰到如下问题 两种不同的单晶硅材料，刻蚀前表面均光滑，使用相同的干法刻蚀设备、相同的刻蚀工艺，一组表面光滑、一组表面粗糙，想咨询下决定刻蚀后Si片粗糙度的因素有哪些？晶向、晶型、电阻率？ 还有哪些？望高人指点~ |
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tzynew2楼
2022-10-10 10:03
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Lefadian(金币+1): 谢谢参与
o 发自小木虫Android客户端
2022-10-10 10:30
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XG-WUST4楼
2022-10-11 08:20
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up 发自小木虫IOS客户端
假大空5楼
2022-10-11 10:51
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