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光生阴极保护和光催化氧化是否矛盾呐？
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光生阴极保护和光催化氧化都是通过紫外光激发N型半导体，产生光生电子和光生空穴。在光生阴极保护的文章里，写到的是电子转移到金属表面，起到阴极保护的作用。在光催化氧化的文章里（Sic的化学机械抛光里应用比较广泛），写到光生空穴的强氧化性，产生羟基自由基，将SiC氧化，从而提高去除速率。我就在纳闷，光生阴极保护里就不会产生羟基自由基然后氧化金属？那氧化和保护不是互相矛盾吗？而且为什么光生阴极保护为什么不用碳钢，都用不锈钢啊，碳钢难道不是更需要保护的？ 发自小木虫Android客户端 |
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jiuainilxy
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