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[交流]
屏蔽电缆转移阻抗的仿真
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各位大佬们好，小弟刚入门comsol，课题是对屏蔽电缆的转移阻抗进行测量，也看了些相关的论文，但是做出来的效果总是不尽人意，想向前辈们请教请教。 仿真的模型如图，长度为10mm的屏蔽电缆（简化模型，屏蔽层用菱形小孔模型代替），放置于边长为30mm的正方体中，用的接口为电磁波，频域（emw）接口 按照查阅的文献设置电缆两端截面为”理想电导体“，屏蔽层上的小孔内壁设置为“理想磁导体”，目前到这一步都算是完全按照论文来的? 但是在设置激励的时候遇到了问题，因为论文中都是用hfss做的，论文推荐使用平面波激励，但是我在comsol中没能找到平面波激励如何设置，于是我做了两种尝试 1.利用 “散射边界条件” 加在外部的正方体截面上 2.去除长方体后，在电缆一端的圆形界面上添加 “端口-同轴波激励” 转移阻抗的计算也是看的论文里的公式： 屏蔽层内表面的横向电场强度平均值是用曲面积分算子选中屏蔽层内表面，对电场分量进行曲面积分，再除以屏蔽层内表面面积得到。 流经屏蔽层的电流是通过自带的曲线积分算子，选中为沿屏蔽层外横截面的闭合曲线，利用安培环路定律求得。 前者除以后者就是转移阻抗值。 第1种条件算出来转移阻抗曲线趋势完全不对 第2种条件算出来转移阻抗曲线趋势正确，但是数量级上不正确 我想请教几个问题： 一、在comsol里应该如何设置平面波激励，来模拟外界复杂的电磁场环境。 二、因为流经屏蔽层的电流是用安培环路定律求出来的，其中需要用到切线分量，而我在仿真的时候发现comsol里切线分量有两组，分别为“t1x,t1y,t1z”与“t2x,t2y,t2z”，我在官方案例中看到的应该使用t1那组，不知道是否正确 问题繁多，感谢查看我贴子的大佬，小弟先在此感谢各位大佬们  发自小木虫Android客户端 |
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