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潘申成1996

新虫 (正式写手)

[交流] 阴离子掺杂氧化物建模求助已有1人参与

最近打算做一些阴离子掺杂氧化物的工作,但是不知道模型怎么建比较合理,请问大家硼,碳,氮,氟,这些阴离子可以直接替代氧原子建掺杂模型吗?我在文献里看到过阴离子掺杂在间隙位置也见到过替代氧原子的。请问怎么建模更加合理,希望大家不吝赐教

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学员tmcL0A

至尊木虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
同学,你好!

一般而言呢,半导体中的点缺陷是需要考虑带电的(计算的时候需要设置带电)。
具体是间隙掺杂,还是跟氧形成置换型掺杂,这就需要查阅文献,或者是自己计算对比两种不同类型掺杂情况缺陷形成能的高低了。所以,两种情况的模型都需要构建。

祝好!
最爱——羽毛球
2楼2022-04-30 00:07:51
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