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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 【求助】急问，一般重掺杂的N型半导体的掺杂浓度是什么数量级？
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tangbo

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】急问，一般重掺杂的N型半导体的掺杂浓度是什么数量级？

急问，一般重掺杂的N型半导体的掺杂浓度是什么数量级？
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1楼 2009-09-03 11:06:15
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
tangbo(金币+2,VIP+0):谢谢 9-3 11:27
反型后两个数量级吧 比如如果本来是p是1e10，那么n掺杂应该是1e12.
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2楼2009-09-03 11:22:21
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mickk

铁杆木虫 (职业作家)
同问，我也想知道，做理论的很多达10^16/m2
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3楼2009-09-03 12:09:02
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bluesky238

木虫 (正式写手)
★ ★
ddx-k(金币+1,VIP+0):差不多就这个数量级 9-3 19:10
tangbo(金币+1,VIP+0): 9-7 17:43
一般是10e19到10e20量级
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4楼2009-09-03 12:32:36
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ljjbpp

木虫 (正式写手)
★ ★
ddx-k(金币+1,VIP+0):差不多 9-3 19:10
tangbo(金币+1,VIP+0):谢谢 9-6 16:04
比如对于GaN的n型掺杂，可能达到10的20次方数量级！
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女人能讲讲道理多好！
5楼2009-09-03 16:06:18
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fah

铁杆木虫 (著名写手)
★ ★ ★ ★
ddx-k(金币+3,VIP+0):专业！能详细点吗？ 9-4 20:56
tangbo(金币+1,VIP+0):谢谢 9-6 16:04
好像n型重掺杂的基本要求是使得费米能级位于导带。具体数据应该与材料相关吧
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6楼2009-09-03 23:18:38
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fah

铁杆木虫 (著名写手)
这个具体可以看看刘恩科的《半导体物理学》
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7楼2009-09-05 14:03:13
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tangbo

金虫 (正式写手)
谢谢大家的回答，那如果说就是做一般的场效应管，重掺杂的硅衬底大概掺杂是什么数量级。
比如gaas/sio2/si结构，并沉积了源，漏，栅极，想测顶层gaas的电子迁移率，那么N型重掺杂的硅衬底的掺杂数量级。
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8楼2009-09-06 16:10:54
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catv2006

金虫 (小有名气)
不同的材料不同，不同的掺杂源，掺杂方法不同也不同
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9楼2009-09-06 22:38:21
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bingze

银虫 (初入文坛)
★
tangbo(金币+1,VIP+0):谢谢 9-7 17:43
10^19~10^20/cm3
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10楼2009-09-07 11:46:42
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