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sentaurus在Sedevice仿真SiC器件的反向击穿特性
sentaurus在Sedevice仿真SiC器件的反向击穿特性时,在开始点出现了异常变化趋势,请各位大佬帮忙看一下咋回事呢?
![sentaurus在Sedevice仿真SiC器件的反向击穿特性]()
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