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zjl-jac

铜虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】ALGaN/GaN 薛定谔泊松方程自洽求解(插AlN层) 已有1人参与

我原来用Matlab编了一套程序来进行薛定谔泊松方程自洽求解,用的ALGaN/GaN异质结构为:先在蓝宝石沉底上生长40纳米的ALN缓冲层,接着依次生长3微米的GaN和21.5纳米的ALGaN。但我现在用的结构中插入了AlN层,结构如下:先在蓝宝石沉底上生长40纳米的ALN缓冲层,接着依次生长3微米的GaN、1.5纳米的AlN层和20纳米的ALGaN。我现在想对原程序进行修改,但不知道插入AlN层之后程序该怎么修改。还请高人指点。谢谢!


说明:由于本人金币有限,只对对我有帮助的人发,抱歉。

[ Last edited by fegg7502 on 2009-12-9 at 20:30 ]
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zjl-jac

铜虫 (初入文坛)

★ ★
fegg7502(金币+2,VIP+0):thank you very much! 9-27 17:18
中科院半导体研究所材料科学中心的王晓亮老师做这方面的研究,我记得去年开会时他的一个学生曾做过这方面的报告,但具体细节没有说明。不知道哪位有那边的同学,可否帮忙联系询问一下。不胜感谢!
3楼2009-08-27 14:55:58
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