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jugengfans

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by spur at 2009-8-18 19:10:
vasp manual: For the calculations of the DOS and very accurate total energy calculations (no relaxation in metals) use the tetrahedron method (ISMEAR= -5)

谢谢,我是在静态计算的时候就发现总能不一样了,这时还没做DOS呢。
ismear=-5是不是在给半导体做静态计算时也能给出一个准确的值呢?
11楼2009-08-19 00:57:12
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jugengfans

金虫 (正式写手)

我把ismear=0,取不同sigma时的DOS文件贴出来给大家看看

我取了一个周期的TiO2 ,6个原子,难道是因为周期不够大的原因么?

另外,我静态计算的时候取ismear=0,DOS时取ismear=-5 ,这个时候的费米能级究竟是按照先前静态计算的为准,还是从DOS计算的EIGENVAL文件里读呢?

[ Last edited by jugengfans on 2009-8-19 at 01:25 ]
12楼2009-08-19 01:20:38
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jugengfans

金虫 (正式写手)

看了候柱峰老师的教程。发现,对于半导体来说,本来在带隙之间就没有态,DOS的费米能级变得没有任何意义,因此只要费米能级在在bandgap 之间,计算就算不上有问题。
这是我的理解,不知道对不对。
13楼2009-08-19 01:57:44
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zhao6085

★ ★ ★
yjr(金币+1,VIP+0):谢谢!! 8-19 12:10
jugengfans(金币+2,VIP+0): 8-19 12:26
我使用的VASP 手册上明确写道 在计算半导体能带时才设置ISMEAR=-5.我也做TiO2,在弛豫,静态计算,部分态密度计算时我设置ISMEAR=0
14楼2009-08-19 02:11:21
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