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zzhwise

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】请问如何用gaussian模拟SiO2基板?

如题!
本人想使用周期性边界条件去模拟二氧化硅基板的,但是不知道该如何去对其结构施加边界条件!
请各位大虾们帮帮忙啊!
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erylingjet

铁杆木虫 (著名写手)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
yjcmwgk(金币+1,VIP+0):谢谢交流 8-16 16:04
呵呵,高斯做这个不太好吧,好像用的人也比较少,MS吧
2楼2009-08-16 10:52:07
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zzhwise

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by zzhwise at 2009-8-16 09:08:
如题!
本人想使用周期性边界条件去模拟二氧化硅基板的,但是不知道该如何去对其结构施加边界条件!
请各位大虾们帮帮忙啊!

但我想计算二氧化硅与有机物见的作用,需要这个啊!
3楼2009-08-16 15:47:31
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Jasminer

铁杆木虫 (著名写手)

★ ★ ★
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lei0736(金币+2,VIP+0):谢谢 8-16 20:12
要么用MS、VASP等。
要么你把基板画大一些,边界用H饱和。
4楼2009-08-16 19:40:39
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zzhwise

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by zzhwise at 2009-8-16 15:47:


但我想计算二氧化硅与有机物见的作用,需要这个啊!

但是在高斯里氏可以计算石墨基板的啊!
只需要2个原子,再加边界条件就可以啊!
我认为二氧化硅基板也是可以的,就是不知道它的周期是怎么排布!我认为是可以用4个Si,2个O就可以了!
5楼2009-08-17 12:23:41
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