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xgbing-木虫 (著名写手)
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SIC上OX厚度TEM比SEM 高100埃
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SIC被氧化成SIO2, 量测SIO2厚度（大概200-300埃）TEM比SEM厚100埃左右，为什么，到底以哪个为准 @superyeast 发自小木虫Android客户端 |
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2楼2021-07-12 20:16:56
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xgbing-
木虫 (著名写手)
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- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
4楼2021-07-13 11:25:12