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各位好，请教一个带隙的计算问题 已有1人参与
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小弟我本身不是搞计算的，在看文献时发现有很多人提到，掺杂能在原本的带隙之间形成一个掺杂能级，电子被激发后可以先来到掺杂能级，然后在做进一步的迁移。我想请教一下这个掺杂能级能通过计算证明得到吗。还有电子的迁移路径能否通过计算预测。 发自小木虫Android客户端 |
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xydongxy
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