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dingdang619银虫 (小有名气)
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[求助]
急求Tauc图求带隙问题
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请教各位大神，关于tauc图求禁带宽度不太懂，想请教几个问题： 1.看文献中利用tauc图球半导体禁带宽度有两种做图方式，一种是直接与横坐标的求交点（图b），一种好像是在曲线的拐点处拟合了两条直线求交点(图c)？请问这两种有什么区别？到底哪种是标准的？ 2.图a 是我做的光催化剂的tauc图，a和c是两种单独的化合物，a+c是我做的复合材料，可以认为a+c综合了二者的带隙结构吗？a+c的活性要由于单独的a和c，活性和带隙之间的关系应该如何解释呢？  图片1.png |
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