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roky3668

金虫 (小有名气)

[交流] 【请教】请问氮化硅的帯隙是多大?(范围),氮化硅是不是宽禁带材料?

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roky3668

金虫 (小有名气)

但是氮化硅的禁带到底多大呢?好像在哪见过是5eV,文献提到它比SiO2的帯隙还大。
3楼2009-08-03 14:55:54
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tjumark

金虫 (著名写手)

★ ★
amannnn(金币+2,VIP+0):谢谢回答 8-3 14:12
一般认为禁带宽度大于2eV的才称为宽禁带半导体,氮化硅不是
知足常乐,奋斗不息。
2楼2009-08-03 14:05:36
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sun-boymlh

铜虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★
roky3668(金币+5,VIP+0): 8-4 07:45
氮化硅分为富硅氮化硅和富氮化硅,前者的带隙一般在2-3ev左右,而富氮化硅在4ev以上,纯氮化硅带隙是4.6ev。纯二氧化硅带系在8ev以上
http://d.namipan.com/d/Ashcroft,%20Neil%20W,%20Mermin,%20David%20N%20-%20Solid%20State%20Physics(T).djvu/f0504e0c934fa43e8b69e21671ca15dab32ef84964 .
4楼2009-08-03 16:29:14
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kafei8623

铜虫 (正式写手)

氮化钛是半导体材料!
6楼2009-08-04 10:28:44
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