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fangyongxinxi新虫 (正式写手)
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[交流]
【求助】siesta 或 ATK 可以计算键能随 bias 的变化吗？
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siesta 或 ATK 可以计算中心分子键能随 bias 的变化吗？ 如果能，软件中哪个命令可以实现。 三个金币答谢（我剩下的所有金币了，555.....） |
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zdhlover
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
wuli8(金币+3,VIP+0):3ks, 7-25 16:44
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感觉你的思维很混乱，希望你认真思考一下再确定你要研究的内容： 1，虽然你在ATK计算中给出的是0V优化的结构，但是ATK的非平衡格林函数理论已经考虑了扩展分子在不同偏压下分子能级的变化（间接考虑了分子结构的变化，当然如果你的分子结构变化很大，这个结论就不成立了，但是你的电场强度如果强到能引起分子结构强烈变化的话，这个强度就比较大了，也就是说你加的电压非常大了，ATK理论可以加任何电压都可以，但实验一般对分子结之类加的很小，太大就击穿了，没有什么意义。当然你肯定可以用其他软件（据说高斯软件最好）优化在不同外加电场下的结构，高斯软件可以自动输出在不同外加电场下该分子的键能以及其他信息； 2，ATK里的电压是连续变化，而其他软件的电场只能一个一个的加，而且一个有电极一个无电极，一个考虑了和电极的相互作用，一个只是考虑电场对分子的影响而已。另外你肯定也可以利用其他软件直接优化之后的在一定电场下的结构在ATK里计算但是你恐怕每个结构都要优化。而且算出来与ATK里只是零偏压下结构是否有太大的不同只有你自己试一下才知道了，另外建议你自己google搜一下。 ps：希望你能充分调研再开展某方面的工作 [ Last edited by zdhlover on 2009-7-24 at 15:49 ] |
6楼2009-07-25 11:48:00
fangyongxinxi
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2楼2009-07-25 10:33:35
zdhlover
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3楼2009-07-25 11:03:35
fangyongxinxi
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4楼2009-07-25 11:13:07
