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zhangletao1986

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】金属-半导体接触中的leakage current?

  金属-半导体接触中的leakage current会使IV曲线偏离热发射模型,但这种漏电流到底是由什么引起的?有什么物理含义?
  请高手们指教……
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tingyee

金虫 (小有名气)

★ ★
zhangletao1986(金币+2,VIP+0): 7-29 11:32
这个其实挺复杂的,你比如说有空间电荷限制电流,P-F,F-N,等等的,不同的模型对应不同的漏电流机制。一时半会说不清,我也没有能力给你全部说清楚,呵呵,建议你先看看施敏的书吧,这类文献也很多,作高k材料的比较关注这个话题,你看看这方面的文章好了。
5楼2009-07-28 12:20:56
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bryano

木虫 (正式写手)

一般由表面杂质、缺陷等引起。
2楼2009-07-28 10:33:53
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bryano

木虫 (正式写手)


zhangletao1986(金币+1,VIP+0): 7-29 11:32
看看Sze的书,会找到答案。
3楼2009-07-28 10:34:37
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zhujd

金虫 (正式写手)

★ ★
zhangletao1986(金币+2,VIP+0): 7-29 11:32
看看半导体物理的书吧,我在材料板上传的半导体理论的课件可能有用
4楼2009-07-28 11:08:23
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