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HF腐蚀晶硅电池氧化硅，背部已做好钝化层和银电极，如何操作不破坏背部？
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| 晶硅电池背部结构为Si/SiOx/AlOx/SiN/Ag，电池大小为2 cm×2 cm 。前表面氧化硅层约10 nm厚，我可以通过调控氢氟酸的浓度和处理时间来腐蚀氧化硅，但样品前表面飘在氢氟酸上时，还是会有酸渗入腐蚀背部的氧化硅和氧化铝，如何操作才能避免破坏背部钝化层呢？ |
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