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basanwuyu

银虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 384.8
帖子: 212
在线: 4.8小时
虫号: 564037
注册: 2008-05-26
性别: GG
专业: 可再生与替代能源利用中的

[交流] 【求助】【求助】向虫友们请教关于少子寿命问题！

P型硅，少子是电子；N型硅，少子是空穴。
想请问：
一般吸杂前后，都要分别测量硅片的少子寿命（这会儿硅片还没进行掺杂，所以无所谓N型还是P型），请问此时的少子是：电子还是空穴？？？

谢谢！

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谋事在人，成事在人；为梦想奋斗，永不停息！

1楼 2009-07-15 21:53:03

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

mxfx

应助: (幼儿园)
在线:
虫号: 583956

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
ddx-k(金币+2,VIP+0):谢谢 7-26 12:11

楼上说的对,没有掺杂的片子，可以看作是接近于本征状态，电子和空穴数量相等，无所谓多子还是少子。
楼主说一般吸杂前后，都要分别测量硅片的少子寿命.........,楼主说的应该是硅片,硅片都是经过掺杂后的杂质半导体,这是原始硅片的掺杂,有p型和n型.此时测的是原始硅片的体少子寿命.
扩散时是对硅片表面进行掺杂,常见的有扩磷后的n型和扩硼后的p型.
所以少子对p型硅来说是电子,对n型硅来说是空穴.是没问题的.