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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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basanwuyu

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】【求助】向虫友们请教关于少子寿命问题!

P型硅,少子是电子;N型硅,少子是空穴。
想请问:
           一般吸杂前后,都要分别测量硅片的少子寿命 (这会儿硅片还没进行掺杂,所以无所谓N型还是P型),请问此时的少子是:电子还是空穴???

                                                                             谢谢!
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mxfx

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
ddx-k(金币+2,VIP+0):谢谢 7-26 12:11
楼上说的对,没有掺杂的片子,可以看作是接近于本征状态,电子和空穴数量相等,无所谓多子还是少子。
楼主说 一般吸杂前后,都要分别测量硅片的少子寿命.........,楼主说的应该是硅片,硅片都是经过掺杂后的杂质半导体,这是原始硅片的掺杂,有p型和n型.此时测的是原始硅片的体少子寿命.
扩散时是对硅片表面进行掺杂,常见的有扩磷后的n型和扩硼后的p型.
所以少子对p型硅来说是电子,对n型硅来说是空穴.是没问题的.
3楼2009-07-25 23:05:13
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cord

铁杆木虫 (著名写手)


★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
zt970831(金币+3,VIP+0):感谢您的交流 7-15 22:39
basanwuyu(金币+6,VIP+0):谢谢cord 赐教! 7-16 10:37
没有掺杂的片子,可以看作是接近于本征状态,电子和空穴数量相等,无所谓多子还是少子。
理论上认为,即使掺杂之后,多子和少子的乘积还是等于处于本征状态的电子和空穴数乘积。
2楼2009-07-15 22:13:03
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basanwuyu

银虫 (小有名气)

谢谢mxfx

谢谢mxfx  赐教!
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4楼2009-07-26 13:18:27
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