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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » QE(Pwscf) » 缺陷形成能的计算
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夏沫有约

新虫 (著名写手)

[交流] 缺陷形成能的计算

我从文献和小木虫上看到有两种不同的缺陷形成能的公式，一个是第一张图中的，一个是第二张图中的，感觉这两个公式算出来的值应该不太一样，想请教大家，这两个公式有什么区别呢?分别适用于什么情况，感谢！

缺陷形成能的计算


缺陷形成能的计算-1


缺陷形成能的计算-2


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1楼 2020-07-17 09:43:15
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jackwangee

金虫 (小有名气)
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引用回帖:
10楼: Originally posted by 夏沫有约 at 2020-10-04 19:40:14
n代表某种缺陷的数量，μ代表该缺陷的化学式，第一性原理的文献里有很多介绍的 ，你可以看一下...

尾巴那一項 q(EF-Ev-deltaV)
这一项是如何得到的呢？
scf 的得到的是Fermi energy ， 应该是Ef 。
Ev 和deltaV 如何得到

非常感谢
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11楼2021-09-22 15:17:32
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匿名

用户注销 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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2楼2020-07-17 10:00:28
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夏沫有约

新虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by zhouhongpeng at 2020-07-17 10:00:28
带电荷缺陷会有校正项

就是如果是中性的缺陷是用第一个公式是可以算的，如果缺陷带电的话就用第二个公式算是吗？

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3楼2020-07-17 10:02:35
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匿名

用户注销 (正式写手)
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夏沫有约
4楼2020-07-17 10:06:24
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