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干浸渍法，Ru/SiO2的xps分析问题： 已有1人参与
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使用干浸渍法以RuCl3为前驱体，120度焙烧2h，400度 10vol% 氢气/氩气还原4h，得到的Ru3d 5/2峰位置在283左右。 想请问一下： 1. 这种实验条件下Cl可以被除去吗？ 2. 这个283eV左右的峰是由于Ru被氧化引起，还是最终催化剂上仍有RuCl3存在而引起？ （根据文献：DOI 10.1002/sia.5852 中RuCl3的3d 5/2峰位置在282.8eV） 3.还是用湿浸渍法制备了催化剂，分峰得到的Ru 3d 5/2峰在281左右，没有出现283eV左右的峰，所以283eV处的峰是和制备方法有关吗？ 希望有大神可以解答一下！！感谢感谢！！ @guozl @andyyyu @zyhou @地狱血幽灵 @kinkilyou @kinkilyou 发自小木虫IOS客户端 |
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2楼2020-05-31 12:53:19
great_zhw
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Ru/ZrO2 Catalysts for Transfer Hydrogenation of Levulinic Acid with Formic Acid/Formate Mixtures: Importance of Support Stability https://doi.org/10.1002/slct.201702152 可参考这篇 |
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Motomori3楼2020-06-02 10:39:39
4楼2020-06-03 21:57:09