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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » 【求助】关于循环伏安问题
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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xinzhi22jiang

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by mrddow at 2009-7-13 08:26:
二楼的回答非常好。不管可逆体系还是非可逆都成立。主要研究氧化还原电位和电流。

的确是这样，问题是：为什么扫速增加电容增大，并且峰电流增加？
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三思而后行！
11楼2009-07-14 00:21:27
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3.1415926535

铁杆木虫 (著名写手)
貌似书上看过，具体哪一本的给忘了
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12楼2009-07-14 00:25:28
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xinzhi22jiang

金虫 (正式写手)
哪位虫友正面回答问题？谢谢！
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三思而后行！
13楼2009-07-16 10:07:53
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xmuxiaoyu

金虫 (著名写手)
★ ★
xinzhi22jiang(金币+2,VIP+0):感谢您的回答！ 7-17 00:12
扫速增大电容并没有增大，只是充电电流正大而已，充电电流与扫速成正比，这是因为， 电量Q=it=Cv, c是电容，所以i=cv/t, v/t就是扫描的速度，所以扫描速度增加，充电电流增加。 对于峰电流是随扫描速度的二分一次方增加的，主要是由于扩散的速度随扫速的二分一次方增加。 但是这只是在扩散控制的情况下才成立。举个例子，对于旋转盘电极会出现电流位平台，而不是电流峰，这是因为在这种情况下扩散层的厚度是不会随时间变化的。这些都是定性的讨论，对于具体的公式也很容易找到，很多电化学的书上都有。
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14楼2009-07-16 16:15:32
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lizhou691

金虫 (著名写手)
不是很清楚呀
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15楼2009-07-16 18:34:39
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xinzhi22jiang

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by xmuxiaoyu at 2009-7-16 16:15:
扫速增大电容并没有增大，只是充电电流正大而已，充电电流与扫速成正比，这是因为， 电量Q=it=Cv, c是电容，所以i=cv/t, v/t就是扫描的速度，所以扫描速度增加，充电电流增加。 对于峰电流是随扫描速度的二分一次 ...

充电电流增大，我可以理解，但是如果采用100mV/s做CV，和50mV/s做CV，两图一叠加，可以看到100mV/s比50mV/s的电容大哦，我还是有些不明白，请指教！谢谢了！
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三思而后行！
16楼2009-07-17 00:15:17
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xmuxiaoyu

金虫 (著名写手)
★
xinzhi22jiang(金币+1,VIP+0):Thanks a lot! 7-18 10:47
I think what you talk about is nonfaradic current in the double layer range. The nonfaradic current is the charged current, rather than capacitance.
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17楼2009-07-17 01:20:19
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xinzhi22jiang

金虫 (正式写手)
Thank you for your help! I misunderstood your mean at first. That is to say, the capacitance is unchanged with different scan rate, isn't it? HOHO
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三思而后行！
18楼2009-07-18 10:47:09
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dzf07

银虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
不对，峰电流时与扫速的1/2次方成正比的。
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请多多关照
19楼2009-07-18 16:39:52
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匿名

用户注销 (正式写手)
本帖仅楼主可见
20楼2009-07-18 17:39:40
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