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xinzhi22jiang金虫 (正式写手)
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【求助】关于循环伏安问题
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| 请问：为什么在做循环伏安的时候，随着扫速的增加，峰电流会增加呢？并且电容也增加了呢？最好用公式来说明！小弟刚入门，先谢过！ |
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xmuxiaoyu
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xinzhi22jiang(金币+2,VIP+0):感谢您的回答！ 7-17 00:12
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| 扫速增大电容并没有增大，只是充电电流正大而已，充电电流与扫速成正比，这是因为， 电量Q=it=Cv, c是电容，所以i=cv/t, v/t就是扫描的速度，所以扫描速度增加，充电电流增加。 对于峰电流是随扫描速度的二分一次方增加的，主要是由于扩散的速度随扫速的二分一次方增加。 但是这只是在扩散控制的情况下才成立。举个例子，对于旋转盘电极会出现电流位平台，而不是电流峰，这是因为在这种情况下扩散层的厚度是不会随时间变化的。这些都是定性的讨论，对于具体的公式也很容易找到，很多电化学的书上都有。 |
14楼2009-07-16 16:15:32
xmuxiaoyu
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xinzhi22jiang(金币+2,VIP+0):谢谢您的回答！ 7-10 00:37
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在循环伏安中，当电化学过程由扩散控制时， 电流密度的大小正比于传质的速度。在循环伏安中的峰电流的位置是传质速度最大的时候。 如果没有搅拌，传质的速度等于扩散速度，也就是电流密度是由浓度梯度决定的，而浓度梯度决定于扩散层的厚度，扩散层的厚度随时间的1/2次方变化，所以在扩散控制的CV中， 峰电流随扫描速度的1/2次方增加。对于双电层的电流密度随扫描速度成线性变换,而比例系数就是电容值。很简单，根据I=Q/t=Cv/t=Cdv/dt，dv/dt就是扫描速度。对于具体的公式当然是自己看书比较好。 [ Last edited by xmuxiaoyu on 2009-7-9 at 21:51 ] |
2楼2009-07-09 21:49:50
3楼2009-07-10 09:01:30
xinzhi22jiang
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