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热注入法合成量子点问题。
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假设使用热注入法合成量子点，将体系温度升至200℃，纳米晶在此温度下是否会产生大量空位缺陷？然后将反应体系迅速冰浴，那么产生的纳米晶是不是会存在过饱和点缺陷呢？ 因为热注入法合成的量子点质量比较高，在量子点太阳能电池中表现出较好的光电转换效率，相比于其他方法合成的量子点。可是缺陷太多容易引起电子空穴的复合。 求助，热注入法会产生很多点缺陷嘛？ 如果不采用冰浴，而且缓慢降温的方式，量子点质量是否会更高？ 发自小木虫Android客户端 |
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