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xiong_eyecan

银虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】关于参杂氢键的建模问题

比如在ZnO中掺H时(是间隙的那种),模型是怎么建的?
是不是将H丢在一个空的地方,然后做relaxation?
做这类计算有什么要注意的地方吗?
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zhangfan2192

金虫 (著名写手)

★ ★ ★ ★
xiong_eyecan(金币+2):谢谢参与
xiong_eyecan(金币+3,VIP+0): 7-8 12:05
我感觉应该是这样的。
不是很懂 ,帮你顶下,望高手解决。
相逢是缘!
2楼2009-07-08 11:05:28
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chemofish

木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★
xiong_eyecan(金币+2):谢谢参与
xiong_eyecan(金币+3,VIP+0): 7-8 12:05
qasd(金币+1,VIP+0):xiexie~ 7-8 16:26
应该不是随便乱放, 选择特定的空位
3楼2009-07-08 11:39:19
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xiong_eyecan

银虫 (初入文坛)

引用回帖:
Originally posted by chemofish at 2009-7-8 11:39:
应该不是随便乱放, 选择特定的空位

能具体说说吗?
4楼2009-07-08 12:06:25
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阿勇

铜虫 (小有名气)

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
qasd(金币+2,VIP+0):xiexie~ 7-8 16:26
05年PRB有篇文章上有介绍,PRB 72,113201 讲到了在ZnO中O-H成键的具体情况
5楼2009-07-08 14:29:05
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