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394163597铁杆木虫 (著名写手)
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VASP练习:H在Cu(100)面的吸附能计算
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按照《Density Functional Theory: A Practical Introduction》Chapter4 表面能及吸附能这部分,自己练习了H原子在Cu(100)面TOP、BRIDGE、HOLLOW三个位点的吸附能计算,计算结果和教材出入蛮大,想和算过的前辈比较比较结果。 以下是计算简介及结果: 1.H2分子能量计算:BOX大小8×8×8 angstrom,K点选取Gamma点,截断能350eV,优化得到H2分子键长0.75angstrom,总能-6.74eV 2.Cu(100)自由表面能量计算:p(1×1),5层(100)面,10倍(100)层间距的真空层,固定底部两层、弛豫其余三层,K点Gamma 14×14×1,截断能350eV,开启偶极子矫正,优化得到Cu(100)自由表面总能-17.47eV 3.放置H原子在Cu(100)面上的TOP、BRIDGE、HOLLOW三个位点上,INCAR参数不变,优化得到相应的总能为-20.13eV、-20.77eV、-20.88eV 4.使用公式:吸附能=总能(H在100面)-1/2*总能(H2分子)-总能(100自由表面) 得到三个位点的相应吸附能为+0.71eV、+0.07eV、-0.04eV,与书中p104的计算结果+0.38eV、-0.11eV、-0.19eV的结果相差较大 我相信一部分原因在于参数选取不一致,如K mesh、Ecutoff、EDIFF(G)等等,但是结果相差也太大了吧 ![]() 恳请前辈予以指点,我觉得我思路没错,也是对着教材和教程认真研究了的 如果也有练习的结果恳请交流交流 |
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