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394163597铁杆木虫 (著名写手)
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[交流]
VASP练习：H在Cu(100)面的吸附能计算
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按照《Density Functional Theory： A Practical Introduction》Chapter4 表面能及吸附能这部分，自己练习了H原子在Cu(100)面TOP、BRIDGE、HOLLOW三个位点的吸附能计算，计算结果和教材出入蛮大，想和算过的前辈比较比较结果。 以下是计算简介及结果： 1.H2分子能量计算：BOX大小8×8×8 angstrom，K点选取Gamma点，截断能350eV，优化得到H2分子键长0.75angstrom，总能-6.74eV 2.Cu(100)自由表面能量计算：p(1×1)，5层(100)面，10倍(100)层间距的真空层，固定底部两层、弛豫其余三层，K点Gamma 14×14×1，截断能350eV，开启偶极子矫正，优化得到Cu(100)自由表面总能-17.47eV 3.放置H原子在Cu(100)面上的TOP、BRIDGE、HOLLOW三个位点上，INCAR参数不变，优化得到相应的总能为-20.13eV、-20.77eV、-20.88eV 4.使用公式：吸附能=总能(H在100面)-1/2*总能(H2分子)-总能(100自由表面) 得到三个位点的相应吸附能为+0.71eV、+0.07eV、-0.04eV，与书中p104的计算结果+0.38eV、-0.11eV、-0.19eV的结果相差较大 我相信一部分原因在于参数选取不一致，如K mesh、Ecutoff、EDIFF(G)等等，但是结果相差也太大了吧  恳请前辈予以指点，我觉得我思路没错，也是对着教材和教程认真研究了的  如果也有练习的结果恳请交流交流 |
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 Vasp |
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