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tjumark

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[交流] 【交流】关于禁戒跃迁和允许跃迁

真心和大家探讨下！
目前个人认为，对于间接带隙半导体，在紫外光吸收中发生间接禁戒跃迁和间接允许跃迁的几率应该是后者大吧？
不解的是：间接带隙半导体是不是也可以发生直接禁戒跃迁和直接允许跃迁呢？

请大家踊跃讨论、指教！

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知足常乐，奋斗不息。

1楼 2009-07-03 17:28:46

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yzcluster

金虫 (著名写手)

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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
dawnlight(金币+5,VIP+0):恩，很好很深刻 7-3 21:53

第一个问题说明LZ对固体光学的基本概念不清楚。从理论上讲“禁戒跃迁”自然是不能发生的。概率为0。但是，由于还有电四矩和磁偶极矩跃迁，并且有时候晶格振动，杂质等等会影响理论的适用性，使跃迁条件放宽。因此并不是决对禁止的。
对于第二个问题，我可以明确告诉你，间接带隙半导体完全可以发生直接跃迁，无非是需要的能量大些，并满足一定的宇称规则。只是跃迁到导带的载流子很容易以某些方式（比如通过辐射，非辐射等等）回到带底而已。