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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » CASTEP计算带隙比实验值小很多怎么解决
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xiaomao_16

银虫 (小有名气)

[求助] CASTEP计算带隙比实验值小很多怎么解决

1. 如题，新手刚接触CASTEP，看着Tutorials里的教程自己算了个块体MgO的能带，感觉MgO应该没有太特殊的地方吧，但算出来只有4.1eV，实验值足足7.8eV，有文章说这是系统误差，但是不是有点差太多了，有没有解决的方法呢？
设置参数如下：GGA-PW91（其他像PBE也试过结果差不多），截断能500eV，USPP，k点取样之类都选择的是Fine，基本就是按照教程默认来的

2. 本来的目标是NiO，也试着找文献的参数算了，给Ni的d轨道施加Hubbard U10eV，GGA-PBEsol，USPP，其他还是基本设为Fine，能带结果导带穿过了费米能级，变成金属了，和没有加U的情况基本一样了，是不是哪里我设置的不对？求指教。如果需要什么图我再补，拜托了

另外，有文章用B3LYP算NiO能带，但用GGA优化结构之后换成杂化泛函算能带提示错误，把USPP之类的按提示修改之后可以运行，但刚运行一会儿就报错，提示ionic mismatch，赝势重启时发生改变之类，这又是哪里出问题了呢？
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1楼 2020-03-13 12:31:32
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卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur
★ ★ ★ ★ ★
xiaomao_16(漫天飘雪代发): 金币+5, 谢谢交流 2020-03-13 23:17:12
1、带隙偏小可能还是LDA/GGA本身的缺陷，这个没办法，要么DFT+U要么杂化泛函，对MgO而言DFT+U起不到效果，只能考虑杂化泛函。
2、NiO体系的话DFT+U应该是显著改善的，不过得确定你的磁矩是否按照文献正确设定。
3、没记错的话CASTEP算杂化泛函应该使用模守恒赝势，这是必须的条件；另外不推荐B3LYP算固体，不符合自由电子极限，建议采用HSE06或者sX-LDA，相关资料你可以再看看文献。
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不一定挂在论坛，计算问题问题欢迎留言。
2楼2020-03-13 13:26:29
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xiaomao_16

银虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 卡开发发 at 2020-03-13 13:26:29
1、带隙偏小可能还是LDA/GGA本身的缺陷，这个没办法，要么DFT+U要么杂化泛函，对MgO而言DFT+U起不到效果，只能考虑杂化泛函。
2、NiO体系的话DFT+U应该是显著改善的，不过得确定你的磁矩是否按照文献正确设定。
3 ...

好的，感谢指导！还有个关于+U的问题，是只需要选中所有Ni原子Modify的时候加上Hubbard U，之后继续普通的GGA计算，就可以得到GGA+U的结果吗，还是要勾选LDA+U或者进行什么设置呢？
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3楼2020-03-13 14:11:08
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卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur
引用回帖:
3楼: Originally posted by xiaomao_16 at 2020-03-13 14:11:08
好的，感谢指导！还有个关于+U的问题，是只需要选中所有Ni原子Modify的时候加上Hubbard U，之后继续普通的GGA计算，就可以得到GGA+U的结果吗，还是要勾选LDA+U或者进行什么设置呢？...

需要勾选LDA+U和自旋极化，注意此处LDA+U其实就是DFT+U，并不区分结合使用LDA还是GGA甚至是MetaGGA。
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不一定挂在论坛，计算问题问题欢迎留言。
4楼2020-03-13 16:09:19
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xiaomao_16

银虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 卡开发发 at 2020-03-13 16:09:19
需要勾选LDA+U和自旋极化，注意此处LDA+U其实就是DFT+U，并不区分结合使用LDA还是GGA甚至是MetaGGA。...

好的 万分感激

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5楼2020-03-13 16:49:23
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