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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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wwj_0905

银虫 (正式写手)

[交流] 【求助】如何从态密度图分析电离度的大小,或者电荷分布的转移

如何从态密度图分析电离度的大小,或者电荷分布的转移
或者提供一些相关文献也可以,非常感谢
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wwj_0905

银虫 (正式写手)

急切盼望大家的回答
2楼2009-07-02 08:19:28
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woshilaoer8381

至尊木虫 (知名作家)

★ ★
wwj_0905(金币+1):谢谢参与
wuchenwf(金币+1):谢谢
物理学报上好像不少!
3楼2009-07-02 11:49:03
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meimeidyh

铁杆木虫 (著名写手)

进城务工人员

★ ★ ★ ★
wwj_0905(金币+1):谢谢参与
wuchenwf(金币+3):谢谢
原则上讲,态密度可以作为能带结构的一个可视化结果。很多分析和能带的分析结果可以一一对应,很多术语也和能带分析相通。但是因为它更直观,因此在结果讨论中用得比能带分析更广泛一些。简要总结分析要点如下:
1) 在整个能量区间之内分布较为平均、没有局域尖峰的DOS,对应的是类sp带,表明电子的非局域化性质很强。相反,对于一般的过渡金属而言,d轨道的DOS一般是一个很大的尖峰,说明d电子相对比较局域,相应的能带也比较窄。

2) 从DOS图也可分析能隙特性:若费米能级处于DOS值为零的区间中,说明该体系是半导体或绝缘体;若有分波DOS跨过费米能级,则该体系是金属。此外,可以画出分波(PDOS)和局域(LDOS)两种态密度,更加细致的研究在各点处的分波成键情况。

3) 从DOS图中还可引入“赝能隙”(pseudogap)的概念。也即在费米能级两侧分别有两个尖峰。而两个尖峰之间的DOS并不为零。赝能隙直接反映了该体系成键的共价性的强弱:越宽,说明共价性越强。如果分析的是局域态密度(LDOS),那么赝能隙反映的则是相邻两个原子成键的强弱:赝能隙越宽,说明两个原子成键越强。上述分析的理论基础可从紧束缚理论出发得到解释:实际上,可以认为赝能隙的宽度直接和Hamiltonian矩阵的非对角元相关,彼此间成单调递增的函数关系。
4) 考虑LDOS,如果相邻原子的LDOS在同一个能量上同时出现了尖峰,则我们将其称之为杂化峰(hybridized peak),这个概念直观地向我们展示了相邻原子之间的作用强弱。


至于电荷分布的转移参阅文献《Charge transfer and adsorption energies in the iodine–Pt(1 1 1) interaction>
4楼2009-07-02 13:21:57
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sss3012

银虫 (正式写手)

★ ★
wwj_0905(金币+1):谢谢参与
wuchenwf(金币+1):谢谢
单从态密度很难判断电荷的转移,应该结合布居分析。
5楼2009-07-02 13:42:02
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cbFeng200881

金虫 (著名写手)


wuchenwf(金币+1):谢谢
差分电荷密度 好了
6楼2009-07-02 13:57:15
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wwj_0905

银虫 (正式写手)

差分电荷密度。楼上的能说的具体点么?或者介绍些文献,非常感谢
7楼2009-07-02 21:11:44
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