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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 缺陷形成能计算
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蔡山万大鹏

铜虫 (小有名气)

[求助] 缺陷形成能计算已有4人参与

重复文献数据练手，计算GaN中Ga单空位形成能。   Ga空位可能有0，-1，-2，-3等价态。 利用公式1（如下计算形成能）。
      
      INCAR如下图所示，此为结构优化步骤。 利用NELECT改变电子数量 ，IDIPOL、EPSILON修正。K取G点1 1 1。POTCAR考虑了d层电子。

      错误描述：
            （1）带电缺陷态，若去掉蓝色的三行命令（NELECT ，IDIPOL ， EPSILON），计算的形成能为负值，但是形成能之间相差过大（5~10eV左右），明显不正确；
            （2）若加上蓝色三行命令，形成能为正值。

      不知道是什么原因导致，是结构优化过程不合理？还是修正命令出错？       若能指教，不胜感激。

缺陷形成能计算
11.jpg


缺陷形成能计算-1
1.jpg


缺陷形成能计算-2
2.jpg


缺陷形成能计算-3
3.jpg
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缺陷计算

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人丑多读书
1楼2020-03-04 15:35:31
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shadowlisong

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

你计算过后的带电体系形成能有修正吗？
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Hello，world
8楼2020-03-11 20:38:16
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查看全部 12 个回答

漫天飘雪

版主 (知名作家)

认真做事，踏实做人

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
不太懂缺陷，帮顶。你可以试试一些软件
PyCDT: A Python toolkit for modeling point defects in semiconductors and insulators
https://www.sciencedirect.com/sc ... i/S0010465518300079
赞一下(1人) 回复此楼
http://blog.sciencenet.cn/u/pfliu89
2楼2020-03-04 18:07:05
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

蔡山万大鹏

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 漫天飘雪 at 2020-03-04 18:07:05
不太懂缺陷，帮顶。你可以试试一些软件
PyCDT: A Python toolkit for modeling point defects in semiconductors and insulators
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0010465518300079...

课题是这，换软不是很现实

发自小木虫Android客户端
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人丑多读书
3楼2020-03-04 18:26:33
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huyaoqiao

铁虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
引用回帖:
3楼: Originally posted by 蔡山万大鹏 at 2020-03-04 18:26:33
课题是这，换软不是很现实
...

pycdt 是一个VASP pre-processing and post-processing 的软件，帮助你产生POSCAR INCAR KPOINTS POTCAR，你只需提交任务就行。
赞一下 回复此楼
4楼2020-03-05 03:42:47
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查看全部 12 个回答
不应助 确定回帖应助 (注意：应助才可能被奖励，但不允许灌水，必须填写15个字符以上)
普通表情 龙 兔 虎 猫 论文翻译-EnPapers美助理教授团队-SCI英文润色
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