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北京大学诚聘博士后 (半导体器件及其应用方向)
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北京大学“博雅博士后”及“博新计划博士后”项目诚聘博士后(半导体器件及其应用方向) 工作地点: 北京大学（北京） 研究方向: 宽禁带半导体(GaN, SiC), Si功率半导体, 功率电子技术，等方向 待遇: 如申请到“博雅博士后”，北京大学提供18.5万/年+ 9.1万/年+6万/年的待遇。如申请到“博新计划博士后”，进站后享受国家给予两年60万元资助。所有的博士后项目均享受北京户口、子女教育等相关政策。课题组另将提供相应的绩效工资。 北京大学“博雅博士后”申请截止时间为2020年3月15日。“博新计划博士后”申请截止时间为2020年2月29日。请感兴趣的候选人尽快与课题组导师联系。 https://postdocs.pku.edu.cn/tzgg ... mp;isappinstalled=0 https://postdocs.pku.edu.cn/tzgg/110868.htm 课题组介绍: 课题组主要研究半导体（GaN、SiC、Si）功率器件及功率电子技术。包括器件工艺与制备，器件物理与可靠性分析，功率器件驱动技术与应用等。课题组负责人魏进博士于2017年毕业于香港科技大学，在IEEE EDL，IEEE T-ED，IEDM，ISPSD等本领域的权威期刊与会议上发表论文80余篇。课题组善于挖掘与激发组员的科研潜能，将为组员提供高质量的科研指导。 申请条件: (1) 35岁以下； (2) 在国内外知名高校电子，材料，物理等相关学科获得博士学位不超过三年，或即将于2020年博士毕业； (3) 在所在领域主流SCI期刊或顶级会议以第一作者身份发表过论文2篇以上，论文能体现自己的特长和能力 应聘方式: 请将个人简历以及代表性论文全文(2篇)发送至课题组导师邮箱：jweiaf@connect.ust.hk |
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