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【资源】SD上关于SiO2/Si的Review【搜索无重复】
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Review：Photoelectron spectroscopy studies of SiO2/Si interfaces Contents 1. Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 2. Experimental and analytical details . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 3. Core-level . shifts. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 3.1. Chemical shift . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 3.1.1. Definition. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 3.1.2. SiO2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 3.1.3. Intermediate oxidation states . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 3.1.4. Si–N and Si–H . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 3.1.5. Relative chemical shift, E1s E2p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 3.2. Initial state effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 3.3. Final state effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 3.4. Fermi level shifts. . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 4. Atomic and electronic structures at SiO2/Si interfaces . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 4.1. Atomic structures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 4.1.1. Photoionization cross-section and electron escape depth . . . . . . . . 15 4.1.2. Composition transition layer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 4.1.3. Structural transition layer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 4.2. Electronic structures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 4.2.1. Valence band offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 4.2.2. Dielectric constant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 5. Application of photoelectron spectroscopy study to advanced oxide formation . . . 35 5.1. Depth profiling of oxynitride films . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 5.1.1. N 1s and Si 2p3/2 photoelectron spectra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35 5.1.2. Bonding configurations of N and Si atoms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 5.1.3. Principle of angle-resolved photoelectron spectroscopy . . . . . . . . . . . . . . 36 5.1.4. Depth profile of N atoms in oxynitride films . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39 5.2. Characterization of low-temperature oxidation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 5.2.1. Various low-temperature oxidation methods . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 5.2.2. Dependence of SiO2/Si interface structure on low-temperature oxidation process and on substrate orientation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 6. Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49 References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 http://www.namipan.com/d/Photoel ... e047d64f24d3b963100 http://namipan.com/d/Photoelectron%20spectroscopy%20studies.pdf/406406e13e796f82aabaa918cdca3e047d64f24d3b963100 [ Last edited by shixindu on 2009-6-20 at 19:46 ] |
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