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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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floljf

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】关于非晶硅薄膜太阳能电池的一个问题

Usually, p-n junctions with a-Si:H do not display rectification properties, but
display a more or less Ohmic contact characteristic. This is because there are many p-layer and n-layer defect levels and as, moreover, carrier density is also high, the tunnel effect current becomes dominant.
==============================
这一段英文怎么理解,是不是说以非晶硅作为i层pin层半导体结构没有整流特性呢?怎么理解?为什么没有整流特性呢?

[ Last edited by hslining on 2009-9-12 at 08:52 ]
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roky3668

金虫 (小有名气)

我知道

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hslining(金币+5,VIP+0):强悍! 6-21 20:19
翻译如下:
    通常氢化非晶硅的P-N结不显示整流的性质,而或多或少表现一些欧姆接触特性,这是因为存在很多P层和N层缺陷,而且载流子的浓度很高,隧道电流占主导。
2楼2009-06-21 17:11:03
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floljf

金虫 (正式写手)

为什么P层和N层的载流子浓度高就不表现为整流特性呢?P型、N型硅不都是经过掺杂的吗?非晶硅掺杂后的载流子浓度要高几个数量级吗?
3楼2009-06-22 08:53:40
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roky3668

金虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
原因说明了啊,载流子浓度高,隧道电流占主导效应,而隧道电流是表现欧姆行为的啊。P型、N型硅当然是经过参杂的啦,不参杂就就本征半导体材料了,而且参杂后载流子浓度会大大提高的,因为杂质容易电离,从而产生电子或空穴,即载流子浓度大幅度提高,表现出来就是材料的电导率提高好几个数量级。
4楼2009-06-22 20:50:08
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jerryliu

银虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
楼上说的真的是入木三分!
5楼2009-09-21 09:42:55
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