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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 金属 » 非晶合金 » 【求助】关于非晶硅薄膜太阳能电池的一个问题
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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floljf

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】关于非晶硅薄膜太阳能电池的一个问题

Usually, p-n junctions with a-Si:H do not display rectification properties, but
display a more or less Ohmic contact characteristic. This is because there are many p-layer and n-layer defect levels and as, moreover, carrier density is also high, the tunnel effect current becomes dominant.
==============================
这一段英文怎么理解，是不是说以非晶硅作为i层pin层半导体结构没有整流特性呢？怎么理解？为什么没有整流特性呢？

[ Last edited by hslining on 2009-9-12 at 08:52 ]
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1楼 2009-06-17 09:03:23
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roky3668

金虫 (小有名气)

我知道

★ ★ ★ ★ ★ ★
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hslining(金币+5,VIP+0):强悍！ 6-21 20:19
翻译如下：
    通常氢化非晶硅的P-N结不显示整流的性质，而或多或少表现一些欧姆接触特性，这是因为存在很多P层和N层缺陷，而且载流子的浓度很高，隧道电流占主导。
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2楼2009-06-21 17:11:03
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floljf

金虫 (正式写手)
为什么P层和N层的载流子浓度高就不表现为整流特性呢？P型、N型硅不都是经过掺杂的吗？非晶硅掺杂后的载流子浓度要高几个数量级吗？
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3楼2009-06-22 08:53:40
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roky3668

金虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
原因说明了啊，载流子浓度高，隧道电流占主导效应，而隧道电流是表现欧姆行为的啊。P型、N型硅当然是经过参杂的啦，不参杂就就本征半导体材料了，而且参杂后载流子浓度会大大提高的，因为杂质容易电离，从而产生电子或空穴，即载流子浓度大幅度提高，表现出来就是材料的电导率提高好几个数量级。
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4楼2009-06-22 20:50:08
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jerryliu

银虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
楼上说的真的是入木三分！
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5楼2009-09-21 09:42:55
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