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请问金属基底旋涂光刻胶进行前烘的参数如何设置 已有3人参与
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导师给小弟安排了个任务是在一个金属基底上溅射一层薄膜，这个金属基底也不是正常基片而是一个异形基底具有悬空结构。 现在基本工艺摸得差不多了，使用光刻溅射再lift-off的方法来做，但是最近小弟遇到一个问题需要各位大佬帮助。 目前是发现采用标准的前烘工艺来做（使用的光刻胶为az-4620，旋涂的厚度为10um左右。使用烘箱50度保温半小时，90度保温2小时—这个是厂家给我们的参考工艺），光刻胶烘得太透了，曝光之后肉眼看没啥效果，显影的时间也远超别人标准基片的工艺，而且显影效果不好，导致小弟现在做了几个月东西还没做出来。 现在的推测就是光刻胶前烘没做好，怀疑是金属导热太快导致光刻胶的烘干比标准的硅片和玻璃片要快很多。 但是现在摸索烘胶温度很耗时，我这个基片由于悬空所以不好用热板，目前都是用的烘箱，按照标准的来做一次前烘耗时很长。所以请问大神们有没有做过8~10微米的光刻胶在金属基底上的烘胶工艺，小弟好找个参考值，烘箱和热板都可以。 |
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3楼2020-01-02 20:17:29
babyoflion
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2楼2020-01-02 19:24:17
danghaha
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4楼2020-01-02 21:24:18
yswyx 
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【答案】应助回帖
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leine: 金币+30, ★★★★★最佳答案 2020-02-12 16:49:49
supernatural: 专家，不要在帖子里宣传公司了 2020-05-22 10:16:36
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只讨论光刻的话，直接减90°c那个时间，减到1小时。你的显影效果不好，说的应该时黑边严重，光刻胶的形貌很差，不能顺利剥离。这就不是光刻的问题了，因为4620本来就这个德行。卖你光刻胶的也啥都不懂，瞎指导。 你这个金属镂空结构，用烘箱确实比较麻烦，如果由顶部加热的热板，那是最好了，不过这个热板要定制，你去买不划算。你这个剥离工艺，尽可能的用负胶做，比如7133，专门做剥离的负胶，厚度5um，足够了。唯一的麻烦是负胶需要后烘，温度控制不好的话，底切做的差，剥离会难点儿，但比4620强百倍。 现在的光刻胶，一般都没有烘箱使用的温度参考，要靠自己摸，不过像对于7133这样工艺宽容度比较大的，还是比较容易的，先拿硅片试试，再用你的正片做就很容易了。 |
5楼2020-01-03 16:45:44
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