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wjmxpp新虫 (初入文坛)
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[求助]
请教有关电化学抛光铜箔的问题 已有2人参与
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由于CVD实验需要抛光退火后的铜箔，我的铜箔在抛光完之后不像文献里和未抛光的铜箔比较只是表面的一条条的褶皱没了，我的感觉都过蚀了。 在面积小的时候表面会挺光滑的，但是面积大了以后就会出现边缘光滑，中心抛不光，然后中心光了，边上又不光了 发自小木虫Android客户端 |
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wjmxpp
新虫 (初入文坛)
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我用了一个最简单的数字源表给电压，看到文献中有人说要小一点的电流密度，但是不知道怎么控制，我的确发现，如果我的待抛光的铜片小一点会比较容易抛光，还想问一个抛光完表面就是很光亮的状态吗，问过其他同学有的说不是光亮的，退火后才会比较光亮 发自小木虫Android客户端 |
4楼2019-12-30 21:59:23
songcumt
至尊木虫 (职业作家)
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2楼2019-12-29 18:20:41
也许、明天
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【答案】应助回帖
感谢参与，应助指数 +1
| 抛光是有必要，但是文献中的描述也不尽正确。首先用于CVD石墨烯生长的Cu片的正确处理工艺顺序应该是as-received Cu foil先抛光再去高温在Ar和H2保护气下热处理，再直接通carbon precursor进行石墨烯生长。至于你提到的抛光问题，如果是参考文献中的抛光液，给你的建议是用稍微大片的铜进行抛光，这样即使边上不光亮，剪裁边上的，用中间的也可以满足你的使用。至于抛光如何提高，我个人有俩点建议，抛光的那个铜作为正极，负极你也可以用铜片，但是负极的Cu面积要大于正极；其次抛光时间我个人觉得10分钟足够，抛光完立即用水和乙醇清洗完，氮气吹干。抛光完以后在CVD高温热处理以后再去生长G。祝好，也祝早日解决这个问题。 |
3楼2019-12-29 21:50:52
也许、明天
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5楼2019-12-30 22:10:24
