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材料npuer

新虫 (初入文坛)

[求助] 测硅片电阻率 已有1人参与

各位虫友好,小弟想问问为什么我用四探针法测p型硅片电阻率的过程中,电阻率随着温度升高一直升高,并没有出现所谓的本征激发区,我测量的温度是室温到500°C

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穿越千年

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寂寞读书的小和尚

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【答案】应助回帖

本征激发的温度和bandgap以及多子的浓度有关。Si的带隙在1.1eV,我不知道你的空穴的载流子浓度是多少,但是在500度没有出现本征激发很正常。如果你想观察本征激发,可能要把载流子浓度调低。
热电材料,相变材料,阻变材料,APT,EBSD
2楼2019-12-30 15:40:47
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