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请问用于刻蚀制作脊型波导的SOI片选择参数应该注意哪些？
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| 各位虫友，自己根据文献设计了一个波导结构用来覆盖石墨烯，按照文献中的选材使用商用的SOI片进行加工，就是对上层的硅刻蚀成为一个脊型波导结构，然后加上下面氧化硅和上面的空气包层形成一个波导。但是在选购SOI的时候自己手里只有硅层和氧化硅层的厚度参数，对剩下的掺杂、晶向和电阻率参数就不知道应该做什么要求了，想问一下有没有有经验的朋友告知一下上述参数对于实际波导的性能有什么影响，合理的选择应该是怎样的？*（比如载流子浓度会受到偏压影响进而改变折射率，所以我想的是用本征硅） |
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