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yxcai铁杆木虫 (著名写手)
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【求助】帮忙分析一下态密度图. 急求？
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高压下，某一化合物从一种结构转变成另外一种结构时的DOS，从下往上分别为 基态结构 势垒1 亚稳结构 势垒2 最终结构 就是说从基态结构变为最终结构这个过程中，几个典型位置入的态密度。 从图中可以看出，各个能带从下到上变宽了，原因是什么？ 为什么中间亚稳结构的价带与导带之间的宽度最小？ 是不是可以判断带隙大约是5eV? 是不是可以说从基态结构-----势垒1------亚稳结构这个过程中带隙变小？ [ Last edited by yxcai on 2009-6-7 at 22:31 ] |
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 第一性原理计算 |
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yxcai
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yjr(金币+2,VIP+0):谢谢！！ 6-26 11:25
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我的分析看对不对： 1、几种情况（从下到上）的态密度表明，该物质为半导体，带隙大约5eV 2、从下到上带隙略有下降 3、从下到上结构转变过程中，价带宽度明显增加（  是不是因为阳离子近邻的阴离子数由4个增加到6个引起的，为什么近邻原子数增加价带宽度增加，请行家赐教）4、从下到上，导带中s电子的贡献逐渐增加。（ 请帮忙解释的更深入些，）此态密度是从wurtzite结构转变成rocksalt结构的变化过程。最下面是wurtzite结构的态密度，最上部是rocksalt结构的态密度，中间的是一个亚稳相。其它两个是从wurtzite结构转变成rocksalt结构时经过的高能态，就是势垒处的态密度。 [ Last edited by yxcai on 2009-6-25 at 13:50 ] |
6楼2009-06-25 13:49:29
nicholasyp
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7楼2009-06-26 06:29:31
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
yjr(金币+2,VIP+0):谢谢！！ 6-26 11:25
freshgirl(金币+2,VIP+0):解释的很耐心，谢谢 6-26 11:29
zeoliters(金币+3,VIP+0):真的很好！ 6-27 14:10
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1、5电子伏的带隙，恐怕就是绝缘体了。对于半导体，一般低于2电子伏左右为窄带隙半导体，2-5电子伏是宽带隙半导体。5电子伏以上就是绝缘体。而且，有些绝缘体带隙甚至不到5个电子伏，比如某些电介质，所以LZ要小心了。 2、图中GAP的变化并不明显，所以在图中最好标出具体的GAP值，再进一步说变化趋势。否则很不清楚。（写文章时这些细节要特别注意，否则审稿人会很不爽，如果他不爽的地方多了，你就危险了。） 3、简单的说，能带宽带正比于原子的配位数，这么简单的固体概念，LZ难道忘了？ 4、至于s电子是否增加，你把s电子积分一下用数据说明，MS提供这个功能，不要想当然。 至于你说中间的图是亚稳态，我不知道你是怎么得到的，从相变物理的角度来说，亚稳态对应于某些热力学量，比如自由能或内能等的极小值，难道你把整个热力学量随压强的相图画出来了。还是只挑了一些分立的压强值计算？我想后者的可能性大些。如果你仅仅由于中间的图比它邻近的图能量低，就说明不了是亚稳态，因为此时的压强未必使体系处在极值点上，可能还处在“坡”上，只是比两端低一些罢了。我的意思你明白？ 同理，你的势垒是如何得到的，在这个压强下一定对应于一个极大值吗？最好能说明一下。 相变物理是一个很复杂的过程，是一个非常麻烦的动力学（非平衡态）问题。由第一性原理模拟相变的过程（特别是往往仅仅挑选几个“样品点”来说明问题）很多时候是很危险的，分析的时候要特别小心。LZ最好不要对相变的中间过程纠结太多，因为很可能实际的相变过程与你模拟的过程完全不同，即使初态和末态是合理的。  |
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