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大头鱼1702捐助贵宾 (正式写手)
PHD
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[交流]
【求助】纳米材料的光致发光分析中发射谱和激发谱的定义以及之间的联系是什么？
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在纳米材料表征中经常会遇到光致发光分析，和化学上的解释不同，一般都是缺陷发光，那么有的文献中只有发射谱，而有的文献中即有发射谱也就激发谱，请高手指点一下它们之间的区别和联系，以及具体的定义是什么。谢谢！ 我是学化学的对这方面不是特别理解。 假如某个材料在测试PL时有两个独立的峰，如果对应着两个独立的峰的激发谱出峰位置不一样说明是来自于不同缺陷，如果一样就是相同缺陷。不知对否？ [ Last edited by 大头鱼1702 on 2009-6-6 at 21:38 ] |
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gujm018
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5楼2009-10-10 23:17:59
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jason168(金币+2,VIP+0):鼓励交流 6-7 08:23
大头鱼1702(金币+9,VIP+0):谢谢，分一个金币给3楼呵呵就你们两个回答问题了，非常感谢 6-7 15:51
jason168(金币+2,VIP+0):鼓励交流 6-7 08:23
大头鱼1702(金币+9,VIP+0):谢谢，分一个金币给3楼呵呵就你们两个回答问题了，非常感谢 6-7 15:51
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首先，并非和化学上解释不同，只是有的材料的本征发光实在没有研究的必要和价值，而不同于本征发光的缺陷发光确给纳米材料的提供了另外发光性能，也就多了一个研究方向、一条应用途径。 其次，发射光谱是在一定的波长的光的激发下样品的发光谱，而激光光谱一般是在样品发光明确时选定其发光波长来测激发光谱，激发光谱的最强峰表示如果用这个波长激光样品的话，样品的发光最强。在某种意义上讲，激发光谱和吸收光谱有一定相似，激发光谱最强峰表明样品在这附近有强的吸收，可以对应本征吸收或是缺陷吸收。所以有的文章给出发射光谱有的则都给出，可以因为要说明的问题的不同而不同。 最后，我认为，PL若有两个独立的峰，对于无机纳米材料来说，若一个本征发光峰，另一个为缺陷的可能性很大，如果没有其它溶剂干扰的话。但也可能两个都是缺陷发光峰，其激发光谱的峰位可能相同，也可能不同吧，比如可能都对应本征吸收，但发射过程因为受非辐射跃迁和内转换等等因素的影响，本征吸收后恰好对应在两个缺陷处复合发光最强，也是可能的。楼主说如果两个发光峰对应激发光谱上同一个峰位就是相同的缺陷，那既然相同的缺陷为什么又会有两个发光峰？一种缺陷一般是一个发光中心吧。比如对于ZnO中氧空位和锌间隙的发光都是有其个自的发光峰位的。但不排除一种缺陷两个或多个发光的可能性，缺陷之间的辐射跃迁等问题还需要考虑进去吧。总之缺陷发光的确定可以找文献，或是需要通过多种表征手段分析证明，比如PL,PLE,Abs,UPS,Time-resovled PL(PL lifetime)等等。 |
2楼2009-06-06 23:55:55
marsrat
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大头鱼1702(金币+1,VIP+0):谢谢回答，谢谢 6-7 15:51
大头鱼1702(金币+1,VIP+0):谢谢回答，谢谢 6-7 15:51
| 发射光谱就是固定某一特定激发波长，扫描发射光的道德谱；激发光谱是固定某一发射波长，扫描激发光的波长得到的谱。简单的说，发射光谱可以得到样品的发光的基本信息，发光峰位、强度等；而激发波长表面上可以用来说明样品被不同的波长的光激发的效率如何。一般发光的本质不同，对应的激发光谱的位置也是不一样的（这是必要条件，并非充分条件）。但并不是激发光谱的位置一样，就能说明起因不同。深入分析发光现象的起因，还需要进行不同温度以光谱的测量。因为不同因素造成的发光的行为可能随温度而不同。不同的人怀着不同的目的进行光学测量，所用的数据自然也就不同了。 |
3楼2009-06-07 09:58:29
