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关于半导体的掺杂与能级位置变化的关联
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| 对于一个半导体材料，掺杂是如何影响VBM或者CBM位置的？有没有什么规律可循？换言之，掺杂材料的功函数高低、导电类型等和半导体的VBM或CBM发生了升降变化之间是怎么样的内在关联，期待得到解答，谢谢了 |
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