| 查看: 628 | 回复: 1 | ||
[求助]
关于半导体的掺杂与能级位置变化的关联
|
| 对于一个半导体材料，掺杂是如何影响VBM或者CBM的？有没有什么规律可循？换言之，掺杂材料的功函数高低、导电类型等和半导体的VBM或CBM发生了升降变化之间是怎么样的内在关联，期待得到解答，谢谢了 |
回复此楼» 猜你喜欢
广西师范大学化学与药学学院杨秀林课题组2026年拟招收博士研究生1名
已经有25人回复
-
26年储能、电池方向博士申请
已经有1人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有131人回复
-
求调剂，本科吉大，一志愿华工339
已经有2人回复
-
意大利博洛尼亚大学招聘研究助理2名（2D材料/锂离子与钠离子电池方向）
已经有1人回复
-
关于碳量子点抗菌的研究
已经有15人回复
-
南大化学调剂
已经有11人回复
-
硫酸钠溶液浓度与密度曲线
已经有0人回复
-
0703调剂
已经有2人回复
-
请教各位大佬，锌空电池电解液该投哪个口合适？
已经有11人回复
-
0703 调剂
已经有2人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
2楼2020-11-17 13:37:58
