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南方科技大学公共卫生及应急管理学院2025级博士研究生招生报考通知
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XSM815498719

铁虫 (小有名气)

[求助] 利用Si粉和CH4制备SiC靠谱吗已有2人参与

想在C-C材料表面制备SiC,看到文献很多都是用包埋法,需要多个工序。我现在准备利用等离子喷涂制备SiC涂层,但是害怕SiC粉末汽化喷不上,或者喷上后不致密(因为SiC难以烧结)。请问如果我在CH4气氛下用等离子喷涂喷Si粉通过反应是否可以制备SiC涂层,谢谢!
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涂层开发工程师,微信xsm815498719
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2楼2019-09-13 20:55:16
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科大小鱼儿

木虫 (著名写手)

3楼2019-09-13 22:54:14
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科大小鱼儿

木虫 (著名写手)

4楼2019-09-13 22:54:36
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alchemx

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

CVD气相沉积比较靠谱。
5楼2019-09-26 17:11:42
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sxll

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

感觉等离子喷涂过程碳和硅的反应时间比较短,应该会有碳化硅,但不会大部分都是,气相沉积应该是可以的,规模化生产的话,个人感觉还是高温直接反应比较靠谱,成本低,生产效率高。
6楼2019-09-27 10:47:24
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XSM815498719

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by sxll at 2019-09-27 10:47:24
感觉等离子喷涂过程碳和硅的反应时间比较短,应该会有碳化硅,但不会大部分都是,气相沉积应该是可以的,规模化生产的话,个人感觉还是高温直接反应比较靠谱,成本低,生产效率高。

反应等离子喷涂做TiN的比较多,TiN的纯度还挺高的,做SiC应该要难些,应该会有不少的Si没反应,请问这个可以通过一些后处理消除吗?
涂层开发工程师,微信xsm815498719
7楼2019-09-28 01:38:13
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sxll

至尊木虫 (职业作家)

消除应该可以,如果硅按计量比不富余,可以考虑高温反应消除,如果富余,可以考虑化学法,有一点需要考虑的是,用甲烷气,等离子喷涂能否正常工作,会不会对喷枪有损伤,一个喷枪国产的也万把块钱吧

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» 本帖已获得的红花(最新10朵)

8楼2019-09-28 08:40:00
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XSM815498719

铁虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
8楼: Originally posted by sxll at 2019-09-28 08:40:00
消除应该可以,如果硅按计量比不富余,可以考虑高温反应消除,如果富余,可以考虑化学法,有一点需要考虑的是,用甲烷气,等离子喷涂能否正常工作,会不会对喷枪有损伤,一个喷枪国产的也万把块钱吧
...

好的,谢谢指导
涂层开发工程师,微信xsm815498719
9楼2019-09-30 01:49:00
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