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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 陶瓷材料 » 利用Si粉和CH4制备SiC靠谱吗
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XSM815498719

铁虫 (小有名气)

[求助] 利用Si粉和CH4制备SiC靠谱吗 已有2人参与

想在C-C材料表面制备SiC，看到文献很多都是用包埋法，需要多个工序。我现在准备利用等离子喷涂制备SiC涂层，但是害怕SiC粉末汽化喷不上，或者喷上后不致密（因为SiC难以烧结）。请问如果我在CH4气氛下用等离子喷涂喷Si粉通过反应是否可以制备SiC涂层，谢谢！
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涂层开发工程师，微信xsm815498719
1楼 2019-09-13 20:16:24
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solarzhao


发自小木虫Android客户端
2楼2019-09-13 20:55:16
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科大小鱼儿

木虫 (著名写手)
sic

发自小木虫IOS客户端
3楼2019-09-13 22:54:14
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科大小鱼儿

木虫 (著名写手)
sic等离子喷涂不了

发自小木虫IOS客户端
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4楼2019-09-13 22:54:36
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alchemx

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

CVD气相沉积比较靠谱。
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5楼2019-09-26 17:11:42
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sxll

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

感觉等离子喷涂过程碳和硅的反应时间比较短，应该会有碳化硅，但不会大部分都是，气相沉积应该是可以的，规模化生产的话，个人感觉还是高温直接反应比较靠谱，成本低，生产效率高。
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6楼2019-09-27 10:47:24
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XSM815498719

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by sxll at 2019-09-27 10:47:24
感觉等离子喷涂过程碳和硅的反应时间比较短，应该会有碳化硅，但不会大部分都是，气相沉积应该是可以的，规模化生产的话，个人感觉还是高温直接反应比较靠谱，成本低，生产效率高。

反应等离子喷涂做TiN的比较多，TiN的纯度还挺高的，做SiC应该要难些，应该会有不少的Si没反应，请问这个可以通过一些后处理消除吗？
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涂层开发工程师，微信xsm815498719
7楼2019-09-28 01:38:13
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sxll

至尊木虫 (职业作家)
消除应该可以，如果硅按计量比不富余，可以考虑高温反应消除，如果富余，可以考虑化学法，有一点需要考虑的是，用甲烷气，等离子喷涂能否正常工作，会不会对喷枪有损伤，一个喷枪国产的也万把块钱吧

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XSM815498719
8楼2019-09-28 08:40:00
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XSM815498719

铁虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
8楼: Originally posted by sxll at 2019-09-28 08:40:00
消除应该可以，如果硅按计量比不富余，可以考虑高温反应消除，如果富余，可以考虑化学法，有一点需要考虑的是，用甲烷气，等离子喷涂能否正常工作，会不会对喷枪有损伤，一个喷枪国产的也万把块钱吧
...

好的，谢谢指导
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涂层开发工程师，微信xsm815498719
9楼2019-09-30 01:49:00
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