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碳材料与C3N4复合，电子传输方向与功函数的关系， 已有1人参与
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| 如题，小弟做了一个C3N4与rGO复合的小体系，通过测光电流测试，结果显示复合材料具有远高于C3N4单体的强度，光催化性能也是复合物更好，可是 UPS测试结果显示C3N4的功函数比rGO大不少，这样我就想不通 该如何解释了，半导体材料与碳材料复合或者金属材料复合，电子由半导体传输到碳材料或金属材料的原因不是就应该从功函数的角度解释么？电子由 功函数小的材料传输到功函大的材料？此外，小弟跪求 利用UPS 计算 半导体材料VB的方法。给跪了，大佬们 |
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