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复旦大学国家特聘青年专家万景招聘科研助理和博士
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因上一任科研助理成功入学复旦博士，现招聘新的科研助理。主要负责组内的财务和实验工作，之后可推荐攻读博士，需要有半导体，微电子或材料方向的背景和硕士学位。 导师个人简介： 2016. 09 至 今: 复旦大学 信息科学与工程学院/ 专用集成电路与系统国家重点实验室，研究员，博导 2012. 11 至 2016. 08: 美国Globalfoundries 公司, 高级工程师 (14nm FinFET 集成电路制造研发) 2009.07 至 2012.07：法国IMEP-LAHC与CEA-LETI研究所，博士，(绝缘层上硅器件研究) 2006.09 至 2012.06：复旦大学 微电子系，硕士，（纳米压印与纳米线传感器） 2001.09 至 2005.07：南昌大学，电子信息工程，学士 荣誉： 2019. 上海市青年科技启明星 2016. 国家特聘青年专家 2016. Globalfoundries 公司新人专利奖 2014. IEEE EDL 金牌审稿人 2013. 法国纳米科学基金委 优秀博士论文 2012. 提名IEEE EDL, George E. Smith 奖 (2200篇提交论文中的前1%) 2012. 最佳会议报告奖，EuroSOI和VLSI-TSA 2009. 上海市和复旦大学优秀硕士论文 导师联系方式：jingwan@fudan.edu.cn 导师为人和小组情况可通过下面同学侧面了解： 童领（上一任科研助理）：tongling_1991@163.com 刘坚（博士在读二年级）：jianliu18@fudan.edu.cn [ 来自版块群 上海 ] |
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目前已陆续收到一些同学的简历。请耐心等待1-2周，需要收集一下简历。之后会和各位同学详细联系。 更正一下上面简历的错误： 2006.09 至 2009.06：复旦大学 微电子系，硕士，（纳米压印与纳米线传感器） 补充一下现在小组的一些研究方向： 1. 与CMOS 集成电路兼容的新型半导体器件：Z2-FET, PISD 和 TFET 等。这部分工作主要与工业界合作流片。 2. 新器件物理+新材料 = 新功能器件：如具有动态可调频谱的光电探测器，具有波长敏感特性的独特光电探测器。 3. 基于半导体器件的传感器：各类气体，生物和化学传感器。 以下为近期发表的一些SCI文章 [1] Jianan Deng, Lingyi Zong, Mingsai Zhu, Fuyou Liao, Yuying Xie, Zhongxun Guo, Jian Liu, Bingrui Lu, Jianlu Wang, Weida Hu, Peng Zhou, Wenzhong Bao* and Jing Wan*, MoS2/HfO2/Silicon-on-insulator Dual-photogating Transistor with Ambipolar Photoresponsivity for High-resolution Light Wavelength Detection, Advanced Functional Materials, (2019)，已接收 [2] Yong-Feng Cao, M. Arsalan, J. Liu, Yu-Long Jiang* and J. Wan*, A Novel One-Transistor Active Pixel Sensor With In-Situ Photoelectron Sensing in 22 nm FD-SOI Technology. IEEE Electron Device Letters. 40, 738-741 (2019) 封面文章 [3] Fuyou Liao, Yaocheng Sheng, Zhongxun Guo, Hongwei Tang, Yin Wang, Lingyi Zong, Xinyu Chen, Antoine Riaud, Jiahe Zhu, Yufeng Xie, Lin Chen, Hao Zhu, Qingqing Sun, Peng Zhou, Xiangwei Jiang, Jing Wan*, Wenzhong Bao*, and David Wei Zhang, Nano Research, 已接收：10.1007/s12274-019-2478-5 (2019). [4] J. Liu, XY. Cao, BR. Lu, YF. Chen, A. Zaslavsky, S. Cristoloveanu and J. Wan*, Dynamic coupling effect in Z2-FET and its application for photodetection, IEEE JEDS, 已接收， 10.1109/JEDS.2019.2918203 [5] JN. Deng, ZX. Guo, YW. Zhang, XY. Cao, SM. Zhang, YC. Sheng, H. Xu, WZ. Bao* and J. Wan*, MoS2/silicon-on-insulator Heterojunction Field-Effect-Transistor for High-performance Photodetection. IEEE Electron Device Letters. 40, 423-426 (2019) [6] Wu Zan, Qiaochu Zhang, Hu Xu, Fuyou Liao, Zhongxun Guo, Jianan Deng, Jing Wan*, Hao Zhu, Lin Chen, Qingqing Sun, Shijin Ding, Peng Zhou, Wenzhong Bao* and David Wei Zhang, Large capacitance and fast polarization response of thin electrolyte dielectrics by spin coating for two-dimensional MoS2 devices, Nano Research, 11, 3739 (2018). [7] X-Y. Cao, W-S. Lin, H-B. Liu, J-N. Deng, M. Arsalan, K-M. Zhu, Y-F. Chen, J. Wan*, “A SOI Photodetector with Field-Induced Embedded Diode Showing High Responsivity and Tunable Response Spectrum by Backgate”, IEEE Transactions on Electron Devices, 65, 5412-5418, (2018). [8] JN. Deng, JH. Shao, BR. Lu, YF. Chen, A. Zaslavsky, S. Cristoloveanu, M. Bawedin and J. Wan*, Interface Coupled Photodetector (ICPD) with High Photoresponsivity Based on Silicon-on-Insulator Substrate (SOI), IEEE JEDS, 6, 557-564（2018）. |
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