| 查看: 123 | 回复: 0 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
[交流]
【求助】请教大家一个问题
|
|||
| P（或者n型）硅样品在光照产生过剩载流子（符合小注入条件），从表面到体内过剩载流子浓度呈指数衰减，经过一个电子扩散长度的距离后衰减为零，请定向说明从表面到体内和一个空穴扩散长度内费米能级位置的变化 |
回复此楼» 猜你喜欢
今年审到国自然15份，谈谈感受
已经有28人回复
-
投稿求助，期刊
已经有8人回复
-
河北省自然科学基金
已经有5人回复
-
献血感触
已经有13人回复
-
面上本子正文33页，违规吗？会被低分嘛？
已经有16人回复
-
国自然评分
已经有5人回复
-
国自然上会要求
已经有11人回复
-
提交了我也来说说感想
已经有10人回复
-
评审有感
已经有26人回复
-
Sci. Bull. 悲剧经验
已经有8人回复