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【求助】请教大家一个问题
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| P（或者n型）硅样品在光照产生过剩载流子（符合小注入条件），从表面到体内过剩载流子浓度呈指数衰减，经过一个电子扩散长度的距离后衰减为零，请定向说明从表面到体内和一个空穴扩散长度内费米能级位置的变化 |
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